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 Design Strategy to Improve Memory Window in Ferroelectric Transistors With Oxide Semiconductor Channel 改进氧化物半导体沟道铁电晶体管存储窗口的设计策略
相关领域
铁电性
晶体管
半导体
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期刊：IEEE electron device letters 作者：Ik‐Jyae Kim; Min-Kyu Kim; Jang‐Sik Lee 出版日期：2023-02-01 |
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