GaN based High Power SPDT Switch for Single Chip X-Band T/R Module Front-End

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标题	GaN based High Power SPDT Switch for Single Chip X-Band T/R Module Front-End 用于单芯片X波段T/R模块前端的GaN基大功率SPDT开关相关领域插入损耗回波损耗前端和后端炸薯条物理电气工程功率（物理）光电子学材料科学拓扑（电路）计算机科学工程类天线（收音机）量子力学操作系统
网址	https://doi.org/10.1109/icmac54080.2021.9678237
DOI	10.1109/icmac54080.2021.9678237 doi
其它	期刊：作者：Muhammad Assad; Ali Imran Najam; Hammad M. Cheema 出版日期：2021-12-21
求助人	伯赏涵雁在 2024-07-15 16:01:22 发布自四川，悬赏 10 积分
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