Comprehensive TCAD Analysis of Threshold Voltage on GaN-on-Si MOS-Channel Fully Recessed Gate HEMTs

已完结

文献求助详情

标题	Comprehensive TCAD Analysis of Threshold Voltage on GaN-on-Si MOS-Channel Fully Recessed Gate HEMTs GaN-on-Si MOS沟道全凹栅HEMT阈值电压的综合TCAD分析相关领域符号数学材料科学算术
网址	https://doi.org/10.1109/ted.2021.3136150
DOI	10.1109/ted.2021.3136150 doi
其它	期刊：I.E.E.E. transactions on electron devices/IEEE transactions on electron devices 作者：Marie-Anne Jaud; W. Vandendaele; B. Rrustemi; A. G. Viey; Simon J. Martin; et al 出版日期：2022-02-01
求助人	1223 在 2024-07-21 14:17:25 发布自江苏，悬赏 10 积分
下载	该求助完结已超 24 小时，文件已从服务器自动删除，无法下载。
	温馨提示：该文献已被科研通学术中心收录，前往查看科研通『学术中心』是文献索引库，收集文献的基本信息（如标题、摘要、期刊、作者、被引量等），不提供下载功能。如需下载文献全文，请通过文献求助获取。

上个求助

该求助已完结，感谢关注

如需该文献，请重新发布求助，前往发布

有了科研通，下载文献真轻松！

请遵守相关知识产权规定，勿将文件分享给他人，仅可用于个人研究学习

我的文献求助列表浏览历史

一分钟了解求助规则 | 捐赠本站 | 历史今天

更新

2024年影响因子查询已上线 (2024-6-20)

更新

大幅提高文件上传限制，最高150M (2024-4-1)

科研通是完全免费的文献互助平台，具备全网最快的应助速度，最高的求助完成率。对每一个文献求助，科研通都将尽心尽力，给求助人一个满意的交代。

实时播报: 脑洞疼的应助被谭文采纳，获得10

刚刚; Jiang完成签到，获得积分10

刚刚; 英姑上传了应助文件

刚刚; 大方的含羞草发布了新的文献求助10

1秒前; Akim上传了应助文件

1秒前; 坚强亦丝上传了应助文件

2秒前; QQQ完成签到，获得积分10

2秒前; zqg发布了新的文献求助30

2秒前; 大模型上传了应助文件

2秒前; 一默完成签到，获得积分10

3秒前; wy.he的应助被vivianzzz采纳，获得10

3秒前; 所所上传了应助文件

3秒前; andbbc完成签到，获得积分10

4秒前; garrick完成签到，获得积分10

4秒前; 科研小张的应助被wangwang采纳，获得10

4秒前; 暖杨羊发布了新的文献求助10

5秒前; 球球发布了新的文献求助10

6秒前; AoAoo发布了新的文献求助10

6秒前; 俏皮火发布了新的文献求助10

6秒前; hkhk发布了新的文献求助10

7秒前; 慕青上传了应助文件

7秒前; 羔羊的儿子完成签到，获得积分20

7秒前; 啦啦啦发布了新的文献求助10

7秒前; 万能图书馆上传了应助文件

8秒前; LX2xeK发布了新的文献求助10

8秒前; 粉红色的滑动变阻器发布了新的文献求助10

9秒前; wwwteng呀发布了新的文献求助10

9秒前; JamesPei的应助被erdongsir采纳，获得10

10秒前; 淡然的冰薇完成签到，获得积分20

10秒前; Singularity的应助被由怜雪采纳，获得10

10秒前; 丘比特的应助被莫誓采纳，获得10

10秒前; 搜集达人的应助被zkeeee采纳，获得10

10秒前; 李健的粉丝团团长上传了应助文件

11秒前; ww发布了新的文献求助10

11秒前; 栗子穿关注了科研通微信公众号

12秒前; 我是老大的应助被3lasticheart采纳，获得10

12秒前; 彭于晏上传了应助文件

12秒前; ygr上传了应助文件

12秒前; litianchi发布了新的文献求助10

13秒前; 淡定的泡椒关注了科研通微信公众号

13秒前