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 Shape modulation due to sub-surface damage difference on N-type 4H–SiC wafer during lapping and polishing N型4H-SiC晶片研磨抛光过程中亚表面损伤差异引起的形状调制
相关领域
研磨
薄脆饼
材料科学
抛光
化学机械平面化
复合材料
残余应力
平坦度（宇宙学）
扫描电子显微镜
光电子学
光学
宇宙学
量子力学
物理
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| 其它 |
期刊：Materials Science in Semiconductor Processing 作者：Fenglin Guo; Chen Shao; Xiufang Chen; Xiejian Xie; Xiu Yang; et al 出版日期：2022-12-01 |
| 求助人 | |
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