Influence of Nanoscale Charge Trapping Layer on the Memory and Synaptic Characteristics of a Novel Rubidium Lead Chloride Quantum Dot Based Memristor

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标题	Influence of Nanoscale Charge Trapping Layer on the Memory and Synaptic Characteristics of a Novel Rubidium Lead Chloride Quantum Dot Based Memristor 纳米电荷捕获层对新型铷铅量子点忆阻器记忆和突触特性的影响相关领域记忆电阻器材料科学量子点光电子学电阻随机存取存储器电极纳米技术非易失性存储器电容器电压电子工程电气工程工程类物理化学化学
网址	https://doi.org/10.1002/aelm.202101015
DOI	10.1002/aelm.202101015 doi
其它	期刊：Advanced electronic materials 作者：Ujjal Das; Pranab Sarkar; D. Das; Bappi Paul; Asim Roy 出版日期：2022-01-12
求助人	忧虑的荔枝在 2023-07-04 11:12:43 发布自广东，悬赏 10 积分
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