Low temperature epitaxy of tensile-strained Si:P

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标题	Low temperature epitaxy of tensile-strained Si:P 拉伸应变Si：P的低温外延相关领域二硅烷磷化氢外延极限抗拉强度分析化学（期刊）化学无定形固体电阻率和电导率托尔材料科学硅矿物学纳米技术冶金结晶学催化作用电气工程有机化学图层（电子）工程类物理热力学
网址	https://doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2022.126543
DOI	10.1016/j.jcrysgro.2022.126543 doi
其它	期刊：Journal of Crystal Growth 作者：Jean-Michel Hartmann; J. Kanyandekwe 出版日期：2022-03-01
求助人	capi 在 2023-08-27 18:32:15 发布自上海，悬赏 10 积分
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