Charge transport mechanism in the metal–nitride–oxide–silicon forming-free memristor structure

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标题	Charge transport mechanism in the metal–nitride–oxide–silicon forming-free memristor structure 金属-氮化物-氧化物-硅免成形忆阻器结构中的电荷传输机制相关领域材料科学氮化物空间电荷硅氧化物氮化硅量子隧道记忆电阻器光电子学氧化硅纳米技术凝聚态物理电子工程物理冶金电子工程类量子力学图层（电子）
网址	https://doi.org/10.1016/j.chaos.2020.110458
DOI	10.1016/j.chaos.2020.110458 doi
其它	期刊：Chaos Solitons & Fractals 作者：A. A. Gismatulin; Oleg M. Orlov; V. A. Gritsenko; G. Ya. Krasnikov 出版日期：2021-01-01
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