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Design optimization of a silicon-germanium heterojunction negative capacitance gate-all-around tunneling field effect transistor based on a simulation study
基于模拟研究的硅-砷异结负电容栅全方位隧道场效应晶体管设计优化
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期刊:Chinese Physics B 作者:Weijie Wei; Weifeng Lü; Ying Han; Caiyun Zhang; Dengke Chen 出版日期:2022-12-09 |
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