Shallow electron traps at the 4 H-SiC/SiO2 interface

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标题	Shallow electron traps at the 4 H-SiC/SiO2 interface 4H-SiC/SiO2界面的浅电子陷阱相关领域碳化硅硅深能级瞬态光谱原子物理学外延分析化学（期刊）砷化镓半导体异质结
网址	http://dx.doi.org/10.1063/1.125737
DOI	10.1063/1.125737 doi
求助人	123 在 2025-02-13 16:59:50 发布自江西，悬赏 10 积分
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