Electron Trapping at Point Defects on Hydroxylated Silica Surfaces

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标题	Electron Trapping at Point Defects on Hydroxylated Silica Surfaces 羟基氧化二氧化硅表面点缺陷处的电子俘获相关领域悬空债券晶体缺陷俘获抗磁性硅电子材料科学原子物理学顺磁性结晶学分子物理学物理凝聚态物理化学核物理学磁场生物量子力学冶金生态学
网址	https://doi.org/10.1103/physrevlett.99.136801
DOI	10.1103/physrevlett.99.136801 doi
其它	期刊：Physical Review Letters 作者：Livia Giordano; Peter V. Sushko; Gianfranco Pacchioni; Alexander L. Shluger 出版日期：2007-09-24
求助人	我爱零价铁在 2024-11-25 15:02:01 发布自浙江，悬赏 10 积分
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