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Recent Progress and Perspectives of Field‐Effect Transistors Based on p‐Type Oxide Semiconductors
基于p型氧化物半导体的场效应晶体管的最新进展与展望
相关领域
场效应晶体管
双极扩散
氧化物
半导体
CMOS芯片
材料科学
光电子学
晶体管
制作
工程物理
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期刊:Physica Status Solidi (rrl) 作者:Taikyu Kim; Jae Kyeong Jeong 出版日期:2021-09-21 |
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