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![]() 71 GHz-fmax β-Ga2O3-on-SiC射频功率MOSFET,在2 GHz时记录Pout=3.1W/mm和PAE=50.8%,在4 GHz时记录Pout=2.3W/mm,微波噪声系数低
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期刊:2024 IEEE Symposium on VLSI Technology and Circuits (VLSI Technology and Circuits) 作者:Min Zhou; Hong Zhou; S. Mengwei; Guangjie Gao; Xiaojin Chen; et al 出版日期:2024 |
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