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 Monolithic growth of GaAs/Al0.3Ga0.7As multiple quantum well structure on Ge substrate with low defects: theoretical and experimental correlation of the structural and optical properties 低缺陷Ge衬底上GaAs/Al0.3Ga0.7As多量子阱结构的单片生长：结构和光学性质的理论和实验相关性
相关领域
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材料科学
砷化镓
光电子学
量子点
结晶学
凝聚态物理
物理
化学
海洋学
地质学
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期刊：Journal of Physics D Applied Physics 作者：Ravinder Kumar; Debiprasad Panda; Jhuma Saha; Binita Tongbram; Debabrata Das; et al 出版日期：2020-06-30 |
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