Toward Understanding the Failure Mechanism in p-GaN Gate HEMTs Operating in Reverse Conduction Diode Mode

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标题	Toward Understanding the Failure Mechanism in p-GaN Gate HEMTs Operating in Reverse Conduction Diode Mode 了解p-GaN栅极HEMT在反导二极管模式下工作的失效机制相关领域光电子学材料科学二极管机制（生物学）模式（计算机接口）热传导失效机理降级（电信）导带电气工程工程类计算机科学复合材料物理量子力学电子操作系统
网址	https://doi.org/10.1109/ted.2024.3412095
DOI	10.1109/ted.2024.3412095 doi
其它	期刊：IEEE Transactions on Electron Devices 作者：Wei-Syuan Lin; Benoit Bakeroot; Zhen-Hong Huang; Ting-Chun Lo; Matteo Borga; et al 出版日期：2024-08-01
求助人	liuchuck 在 2024-11-07 11:58:52 发布自湖南，悬赏 10 积分
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