Effects of PECVD preparation conditions and microstructures of boron-doped polysilicon films on surface passivation of p-type tunnel oxide passivated contacts

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标题	Effects of PECVD preparation conditions and microstructures of boron-doped polysilicon films on surface passivation of p-type tunnel oxide passivated contacts PECVD制备条件和掺硼多晶硅薄膜微结构对p型隧道氧化层钝化接触表面钝化的影响相关领域钝化材料科学等离子体增强化学气相沉积兴奋剂硼微观结构退火（玻璃）氧化物硅多晶硅分析化学（期刊）图层（电子）纳米技术复合材料光电子学冶金化学有机化学薄膜晶体管
网址	https://doi.org/10.1016/j.mssp.2022.106966
DOI	10.1016/j.mssp.2022.106966 doi
其它	期刊：Materials Science in Semiconductor Processing 作者：Yuheng Zeng; Dongying Ma; Zunke Liu; Mingdun Liao; Mingjing Xiao; et al 出版日期：2022-11-01
求助人	青街向晚在 2024-06-21 13:36:52 发布自陕西，悬赏 10 积分
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