Influence of hydrogen impurity on the resistivity of low temperature grown p-AlxGa1-xN layer (0.08 ≤ x ≤ 0.104)

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标题	Influence of hydrogen impurity on the resistivity of low temperature grown p-AlxGa1-xN layer (0.08 ≤ x ≤ 0.104) 氢杂质对低温生长p-AlxGa1-xN层电阻率的影响（0.08≤x≤0.104）相关领域杂质电阻率和电导率材料科学氢兴奋剂钝化图层（电子）分析化学（期刊）光电子学纳米技术化学有机化学色谱法电气工程工程类
网址	https://doi.org/10.1016/j.spmi.2017.12.002
DOI	10.1016/j.spmi.2017.12.002 doi
其它	期刊：Superlattices and Microstructures 作者：Feng Liang; Jing Yang; Degang Zhao; Desheng Jiang; Zongshun Liu; et al 出版日期：2017-12-05
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