Mechanism of selective Si3N4 etching over SiO2 in hydrogen-containing fluorocarbon plasma

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标题	Mechanism of selective Si3N4 etching over SiO2 in hydrogen-containing fluorocarbon plasma 含氢氟碳等离子体中Si3N4对SiO2的选择性刻蚀机理相关领域氟碳化合物蚀刻（微加工）等离子体氢化学气相等离子体刻蚀分析化学（期刊）基质（水族馆）相（物质）物理化学图层（电子）有机化学地质学物理海洋学量子力学
网址	https://doi.org/10.1016/j.mee.2009.04.016
DOI	10.1016/j.mee.2009.04.016 doi
其它	期刊：Microelectronic Engineering 作者：Lele Chen; Linda Xu; Dongxia Li; Bill Lin 出版日期：2009-04-20
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