大佬们,我想知道,当 V掺杂到CN结构中,V对比于C和N电负性较低,那当V-N键形成时,电子从V向N移动,那会降低V原子周围的电子云密度。那V掺杂后的CN,如果电子向CN中N上移动,那在XPS中,对比与纯的CN,V掺杂的CN的C1s和N1s结合能位置对比于纯的CN,为什么向高结合能处移动?