Ferroelectricity, High Permittivity, and Tunability in Millimeter-Size Crack-Free Ba1–xSrxTiO3 Flexible Epitaxial Sheets

材料科学 铁电性 介电常数 无定形固体 氧化铟锡 电介质 微晶 复合材料 电极 相对介电常数 光电子学 薄膜 氧化物 外延 图层(电子) 纳米技术 冶金 结晶学 化学 物理化学
作者
Rui Yu,Lizhikun Gong,Hiromichi Ohta,Tsukasa Katayama
出处
期刊:ACS applied electronic materials [American Chemical Society]
卷期号:5 (9): 5234-5239 被引量:4
标识
DOI:10.1021/acsaelm.3c00963
摘要

Flexible oxide sheets exhibiting ferroelectricity and high permittivity are crucial for the advancement of various emerging technologies. However, achieving large-area crack-free flexible oxide sheets remains difficult because oxides easily crack when their thicknesses are significantly reduced. In this study, we focused on Ba1–xSrxTiO3 (BST), which is an important material owing to its high permittivity and electric-field-induced tunability. By employing an amorphous AlOx protective layer with a thickness greater than 10 nm, we successfully fabricated millimeter-sized crack-free BST epitaxial sheets. In contrast, the sheets fabricated without protective layers exhibited breakage. In addition, we observed that a polycrystalline indium tin oxide layer acted as a suitable bottom electrode. The BST sheet with a composition of x = 0.25 exhibited excellent ferroelectric switching behavior and minimal current leakage, even when used with electrodes with a diameter of 100 μm. Furthermore, the BST sheet with a composition of x = 0.5 simultaneously exhibited high permittivity (εr ∼ 3500 at 10 kHz) and tunability (56%), combining the desirable characteristics of both bulk and thin-film materials. These improved dielectric properties are attributed to the absence of substrate-induced strain, which is a characteristic not observed in thin-film materials.
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