Superconducting phase diagram of lanthanum films on the substrate of Si(100)

超导电性 凝聚态物理 相图 材料科学 磁通钉扎 热磁对流 基质(水族馆) 钉扎力 临界场 磁化 Ⅱ型超导体 转变温度 分子束外延 相(物质) 外延 磁场 临界电流 高温超导 纳米技术 化学 物理 无机化学 图层(电子) 海洋学 量子力学 地质学 有机化学
作者
Chuanyi Wu,Yangzhou Wang,Renhai Ma,Je-Chin Han,Jin Wang,Baojuan Kang,Jun‐Yi Ge,Shixun Cao,Jincang Zhang,Fei Chen
出处
期刊:Physica B-condensed Matter [Elsevier BV]
卷期号:657: 414815-414815
标识
DOI:10.1016/j.physb.2023.414815
摘要

Lanthanum films were grown on the substrate of Si(100) (La/Si(100)) by the molecular beam epitaxy (MBE) method and their superconducting properties were studied via the magnetic and electrical transport measurements. The superconducting transition temperature (Tc) is around 5.3 K. Besides, the second magnetization peak (SMP) occurs well below the upper critical field Hc2(T) due to the thermomagnetic flux-jump instabilities. In addition, we also calculated the critical current density (Jc) and studied the vortex-pinning behavior. The Jc is higher than 10 MA/cm2 at certain temperatures. The pinning analysis suggests the dominant role is the δl pinning. Moreover, the comprehensive superconducting phase diagram is offered. Our study completes the superconducting properties of lanthanum, which would facilitate the understanding of superconducting mechanism in the type Ⅱ superconductors.

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