Tunable lattice dynamics and dielectric functions of two-dimensional Bi2O2Se: striking layer and temperature dependent effects

激子 材料科学 电介质 声子 堆积 半导体 凝聚态物理 带隙 光电子学 物理 核磁共振
作者
Yafang Li,Kai Dai,Lichen Gao,Jinzhong Zhang,Anyang Cui,Kai Jiang,Yawei Li,Liyan Shang,Liangqing Zhu,Zhigao Hu
出处
期刊:Nanoscale [Royal Society of Chemistry]
卷期号:15 (5): 2323-2331 被引量:4
标识
DOI:10.1039/d2nr05775a
摘要

Two-dimensional (2D) Bi2O2Se semiconductors with a narrow band gap and ultrahigh mobility have been regarded as an emerging candidate for optoelectronic devices, whereas the ambiguous phonon characteristics and optical properties still limit their future applications. Herein, high-quality centimeter-scale 2D Bi2O2Se films are successfully synthesized to disclose the lattice dynamics and dielectric functions under the control of thickness and temperature. It has been demonstrated that the stronger electrostatic Bi-Se interactions result in a stiffened phonon vibration of thicker Bi2O2Se layers. Three excitons (Ea, Eb, and Ec) exhibit significant red shifts with layer stacking. Interestingly, the dielectric properties in the visible-near infrared region (Ea and Eb) are dominated by the combined effect of the joint density of states and mass density, whereas the dielectric properties in the ultraviolet region (Ec) are dominated by the exciton effect. Furthermore, the temperature-sensitivity of the phonon frequency and exciton transition energies is revealed to be layer-dependent. In particular, the optical response of Eb excitons exhibits a prominent dependence on temperature, which indicates a promising optical modulation by temperature in the visible spectrum. This study enriches the knowledge about phonon dynamics and dielectric properties for 2D Bi2O2Se, which provides an essential reference for high-performance related optoelectronic devices.
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