Dark Current Analysis of InAs/GaSb Type II Superlattice Infrared Detectors

暗电流 超晶格 红外线的 光电子学 材料科学 带隙 计算机科学 物理 光学 光电探测器
作者
X. Wang,Jingzhen Li,Yong Yan,Meiyu Zhang,Tao Wen,Ming Liu,Songlin Yu,Yongzhe Zhang
出处
期刊:IEEE Transactions on Electron Devices [Institute of Electrical and Electronics Engineers]
卷期号:70 (11): 5517-5527 被引量:4
标识
DOI:10.1109/ted.2023.3314574
摘要

The infrared imaging performance of type-II superlattice (T2SL) has been widely used in civil and aerospace fields. Due to the special band structure and material properties, the T2SL has the advantages of the adjustable bandgap, a wide range of spectral response (2– $30~\mu \text{m}$ ), effectively inhibiting Auger recombination, low cost, and good uniformity in large areas. InAs/GaSb T2SL is considered to be a promising material to advance the performance of photoelectric devices, especially in the long-wave range. With the development of science and technology and the continuous efforts of scientists, the T2SL has made great progress in material growth, device design, and process research. However, there is still a gap to the theoretically values. This article discusses the reasons for the performance degradation of T2SL devices, especially the surface and bulk dark current factors, and introduces various methods to reduce dark current and advantages and disadvantages of these methods.
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