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作者
David Dyer,Stephen A. Church,Ruben Ahumada‐Lazo,M. J. Kappers,Matthew P. Halsall,Patrick Parkinson,D. J. Wallis,Rachel A. Oliver,David J. Binks
出处
期刊:Nanoscale
[The Royal Society of Chemistry]
日期:2024-01-01
卷期号:16 (29): 13953-13961
摘要
Cubic zincblende InGaN/GaN quantum wells are free of the electric fields that reduce recombination efficiency in hexagonal wurtzite wells.
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