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Performance improvement with non-alloyed ohmic contacts technology on AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistors on 6H-SiC substrate

欧姆接触 材料科学 跨导 光电子学 基质(水族馆) 晶体管 振荡(细胞信号) 高电子迁移率晶体管 分子束外延 功率密度 电流密度 氮化镓 外延 功率(物理) 电气工程 纳米技术 电压 化学 生物化学 海洋学 工程类 物理 图层(电子) 量子力学 地质学
作者
Marie Lesecq,Yassine Fouzi,Ali Abboud,Nicolas Defrance,F. Vaurette,Saliha Ouendi,Étienne Okada,Marc Portail,Micka Bah,Daniel Alquier,Jean-Claude de Jaeger,Éric Frayssinet,Y. Cordier
出处
期刊:Microelectronic Engineering [Elsevier]
卷期号:276: 111998-111998 被引量:1
标识
DOI:10.1016/j.mee.2023.111998

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