Two-dimensional ferromagnetic Chern insulator: WSe2 monolayer

量子反常霍尔效应 物理 单层 凝聚态物理 无缝回放 铁磁性 带隙 居里温度 拓扑绝缘体 量子霍尔效应 量子力学 电子 纳米技术 材料科学
作者
Hongying Zhang,Xin Wang,Pan Zhou,Zengsheng Ma,Lizhong Sun
出处
期刊:Physics Letters A 卷期号:402: 127344-127344 被引量:6
标识
DOI:10.1016/j.physleta.2021.127344
摘要

Quantum anomalous Hall (QAH) effect presents a promising platform for next generation nano-electronics due to its dissipationless edge states. Unfortunately, until now, QAH materials suitable for practical applications are rare. Based on the first-principles calculations, we found a novel two-dimensional (2D) QAH insulator: WSe2 monolayer. Both the spin-polarized electronic structure and spin-orbit coupling (SOC) of WSe2 contribute to the QAH effect. When SOC is ignored, the WSe2 monolayer is a spin-polarized Dirac half-metal (DHM). Taking SOC into account, a global band gap about 30 meV is opened and the system behaves as an intrinsic Chern insulator with a Curie temperature of 160 K. The non-trivial properties are proved by the nonzero Chern number, quantized anomalous Hall conductivity, and gapless chiral edge states. We expect the material will become a promising candidate for realizing the QAH effect with higher experimental temperature.

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