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作者
S.K. Sitaraman,Jiang Liu,S. Dağ,Mohammad Masoomi,Ying Wang,Prayudi Lianto,Jinho An,Ruiping Wang,Gilbert See,Arvind Sundarrajan,El Mehdi Bazizi,Buvna Ayyagari-Sangamalli
标识
DOI:10.1109/ectc51906.2022.00116
摘要
This paper presents a modeling framework to optimize the development of hybrid bonding, starting with dielectric interface interactions, chemical-mechanical polishing (CMP) process, electrical performance, and thermo-mechanical reliability. The scale of analysis extends from the atomistic effects to the system-level effects, ensuring an all-round understanding and optimization of hybrid bonded interconnects.
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