Monolithic integration of enhancement-mode vertical driving transistorson a standard InGaN/GaN light emitting diode structure

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作者
Xing Lü,Chao Liu,Huaxing Jiang,Xinbo Zou,Anping Zhang,Kei May Lau
出处
期刊:Applied Physics Letters [American Institute of Physics]
卷期号:109 (5) 被引量:28
标识
DOI:10.1063/1.4960105
摘要

In this letter, monolithic integration of InGaN/GaN light emitting diodes (LEDs) with vertical metal-oxide-semiconductor field effect transistor (VMOSFET) drivers have been proposed and demonstrated. The VMOSFET was achieved by simply regrowing a p- and n-GaN bilayer on top of a standard LED structure. After fabrication, the VMOSFET is connected with the LED through the conductive n-GaN layer, with no need of extra metal interconnections. The junction-based VMOSFET is inherently an enhancement-mode (E-mode) device with a threshold voltage of 1.6 V. By controlling the gate bias of the VMOSFET, the light intensity emitted from the integrated VMOSFET-LED device could be well modulated, which shows great potential for various applications, including solid-state lighting, micro-displays, and visible light communications.
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