Novel Surface Passivation for Stable FA0.85MA0.15PbI3 Perovskite Solar Cells with 21.6% Efficiency

钝化 钙钛矿(结构) 材料科学 结晶 化学工程 图层(电子) 相(物质) 光电子学 能量转换效率 纳米技术 化学 有机化学 工程类
作者
Qian Fang,Shihao Yuan,Yuan Cai,Yu Han,Huan Zhao,Jie Sun,Zhike Liu,Shengzhong Liu
出处
期刊:Solar RRL [Wiley]
卷期号:3 (7) 被引量:66
标识
DOI:10.1002/solr.201900072
摘要

In planar perovskite solar cells (PSCs), defect‐induced recombination at the interface between the perovskite and hole transport layer (HTL) leads to a large potential loss and performance deterioration. Therefore, an effective method for improving interfacial properties is critical to boost the performance and stability of PSCs. Herein, a novel surface engineering technology is reported for passivating the perovskite surface with the polyfluoro organic compound tris(pentafluorophenyl)boron (TPFPB), which can yield large perovskite grains, reduced defect densities, and improved charge transport and phase stability for the perovskite film, and enhanced power conversion efficiency (PCE) and stability for PSCs. Using this strategy, a champion FA 0.85 MA 0.15 PbI 3 perovskite cell achieves a high PCE of 21.6% as well as significantly improved air and light stabilities. This work demonstrates that TPFPB is a promising material for crystallization control and defect passivation and paves a new path for mitigating defects and further increasing the performance of planar PSCs.
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