Some aspects of semiconducting barium titanate

Semiconducting BaTiO3 can be prepared by substituting small amounts of ions of higher valency for Ba or Ti ions. At higher concentrations the foreign ions are compensated by metal ion vacancies. Polycrystalline samples prepared in air show an enormous increase in resistivity above the ferro-electric Curie point. According to Heywang this is a result of surface barriers which are very sensitive to the value of dielectric constant. This theory is extended with a ferro-electric effect. Le TiO3 Ba semiconducteur peut être preparé en remplaçant les ions de Ba et de Ti par de petites quantités d'ions de plus forte valence. Aux plus fortes concentrations les ions introduits sont compensés par les vides créés par les ions de métal. Des échantillons polycristallins préparés dans l'air démontrent une augmentation énorme dans la résistivité au-dessus du point Curie ferro-électrique. D'après Heywang, cela est causé par des barrières de surface qui sont sensibles à la valeur de la constante diélectrique. On étend cette théorie à l'effet ferro-électrique. Halbleiter-BaTiO3 lässt sich herstellen, indem man kleine Mengen höherwertiger Ionen für Ba-oder Ti-Ionen substituiert. Bei höheren Konzentrationen werden die Fremdionen durch Metallionen-Leerstellen kompensiert. Polykristalline in Luft hergestellte Proben zeigen oberhalb des ferroelektrischen Curie-Punkts einen starken Anstieg des spezifischen Widerstands. Heywang erklärt dies aufgrund von Oberflächen-Schranken, die für den Wert der dielektrischen Konstanten sehr empfindlich sind. Diese Theorie wird durch einen ferroelektrischen Effekt erweitert.