Transitions between semiconducting and metallic phases in 1-T TaS2

电阻率和电导率 材料科学 过渡金属 转变温度 凝聚态物理 化学 物理 超导电性 生物化学 量子力学 催化作用
作者
A. S. Thompson,R.F. Gamble,J.F. Revelli
出处
期刊:Solid State Communications [Elsevier BV]
卷期号:9 (13): 981-985 被引量:133
标识
DOI:10.1016/0038-1098(71)90444-3
摘要

A study of the electrical properties of 1-T TaS2 has revealed two phase transitions occuring at 190 and 348°K. As the temperature is raised the electrical resistivity decreases by one order of magnitude at 190°K. The higher temperature transition is a semiconducting-metallic transition through which the resistance decreases by a factor of two. A third transitiom was detected at 315°K by thermal analysis and magnetic susceptibility measurements. Une étude des propriétés electroniques du TaS2 1T indique deux phases de transition, l'une à 190 et l'autre à 348°K. En élevant la température, la résistance électrique diminue d'un facteur de 10 à 190°K. La transition de haute température est une transition métallique semiconductive dans laquelle la résistance diminue d'un facteur de deux. Une troisième transition a été observée à 315°K par analyse thermale et susceptibilité magnétique.
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