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Photoelectron Spectroscopic Study of the Interfacial Electronic Structures of Metal‐Ion Containing Polyelectrolytes on ITO Substrates

材料科学 X射线光电子能谱 聚电解质 金属 离子 化学工程 纳米技术 化学物理 聚合物 有机化学 冶金 复合材料 物理 工程类 化学
作者
Jin Hee Lee,Yeasin Khan,Seung‐Hwan Kim,Ae Jin Choi,Bright Walker,Soohyung Park,Jung Hwa Seo
出处
期刊:Advanced Functional Materials [Wiley]
卷期号:34 (22) 被引量:4
标识
DOI:10.1002/adfm.202315074
摘要

Abstract Research in the field of organic electronics has witnessed dramatic improvements in device performance over the past several decades through an ever‐improving understanding of electron and hole movement and the development of new interfacial materials. In this study, a type of interfacial material that relies on ionic charges comprising metal:poly(styrenesulfonate) (PSS) polyelectrolytes are synthesized and investigated as structural analogs of the ubiquitously used poly(3,4‐ethylenedioxythiophene:polystyrenesulfonate) (PEDOT:PSS) hole transport layer, in order to investigate correlations between metal cation ions and the cationic PEDOT component. The metal ions selected for this study include Li, Mg, V, Mn, Co, Ni, Cu, Zn, Pd, Ag, Cs, and Pb ions. To analyze the interfacial energy level alignment, electronic band structure, and band bending at the Indium tin oxide (ITO)/metal:PSS interface, X‐ray photoelectron spectroscopy (XPS) and ultraviolet photoelectron spectroscopy (UPS) are employed. Alkali (earth) and post‐transition metals show deep highest occupied molecular orbital (HOMO) levels and low work function (WF) due to Fermi level balance, implying poor hole transport. Remarkably, Cu:PSS displays a unique electronic structure, suggesting potential as a hole transport layer with increased WF and low hole injection barrier. Period 5 transition metals mirror PEDOT:PSS trends, and Ag:PSS holds the potential to form effective ohmic contacts.
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