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Sub-millimeter-Scale Growth of One-Unit-Cell-Thick Ferrimagnetic Cr2S3 Nanosheets

自旋电子学 铁磁性 磁性 材料科学 矫顽力 凝聚态物理 单层 纳米技术 铁磁性 范德瓦尔斯力 外延 磁场 化学 物理 磁化 有机化学 量子力学 分子 图层(电子)
作者
Junwei Chu,Yu Zhang,Yao Wen,Ruixi Qiao,Chunchun Wu,Peng He,Lei Yin,Ruiqing Cheng,Feng Wang,Zhenxing Wang,Jie Xiong,Yanrong Li,Jun He
出处
期刊:Nano Letters [American Chemical Society]
卷期号:19 (3): 2154-2161 被引量:150
标识
DOI:10.1021/acs.nanolett.9b00386
摘要

Two-dimensional (2D) magnetic materials provide an ideal platform for the application in spintronic devices due to their unique spin states in nanometer scale. However, recent research on the exfoliated monolayer magnetic materials suffers from the instability in ambient atmosphere, which needs extraordinary protection. Hence the controllable synthesis of 2D magnetic materials with good quality and stability should be addressed. Here we report for the first time the van der Waals (vdW) epitaxial growth of one-unit-cell-thick air-stable ferrimagnet Cr2S3 semiconductor via a facile chemical vapor deposition method. Single crystal Cr2S3 with the domain size reaching to 200 μm is achieved. Most importantly, we observe the as grown Cr2S3 with a Néel temperature (TN) of up to 120 K and a maximum saturation magnetic momentum of up to 65 μemu. As the temperature decreases, the samples show a transition from soft magnet to hard magnet with the highest coercivity of 1000 Oe. The one-unit-cell-thick Cr2S3 devices show a p-type transfer behavior with an on/off ratio over 103. Our work highlights Cr2S3 monolayer as an ideal magnetic semiconductor for 2D spintronic devices. The vdW epitaxy of nonlayered magnets introduces a new route for realizing magnetism in 2D limit and provides more application potential in the 2D spintronics.

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