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作者
Pan Gao,Jun Xin,Xue‐Chao Liu,Yanqing Zheng,Er‐Wei Shi
出处
期刊:CrystEngComm
[The Royal Society of Chemistry]
日期:2019-01-01
卷期号:21 (45): 6964-6968
被引量:15
摘要
It is difficult to control the 4H polytype in the growth of SiC single crystals by the PVT method.
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