A Design of Op-Amp Free SAR-VCO Hybrid ADC with 2<sup>nd</sup>-Order Noise Shaping in 65nm CMOS Technology

压控振荡器 噪声整形 逐次逼近ADC CMOS芯片 电子工程 带宽(计算) 晶体管 功率消耗 计算机科学 相位噪声 电气工程 工程类 功率(物理) 电压 电容器 物理 电信 量子力学
作者
Haoran Yu,Zhijie Chen,Masaya Miyahara,Akira Matsuzawa
出处
期刊:IEICE Transactions on Fundamentals of Electronics, Communications and Computer Sciences [Institute of Electronics, Information and Communication Engineers]
卷期号:E99.A (12): 2473-2482
标识
DOI:10.1587/transfun.e99.a.2473
摘要

This paper proposes a SAR-VCO hybrid 1-1 MASH ADC architecture, where a fully-passive 1st-order noise-shaping SAR ADC is implemented in the first stage to eliminate Op-amp. A VCO-based ADC quantizes the residue of the SAR ADC with one additional order of noise shaping in the second stage. The inter-stage gain error can be suppressed by a foreground calibration technique. The proposed ADC architecture is expected to accomplish 2nd-order noise shaping without Op-amp, which makes both high SNDR and low power possible. A prototype ADC is designed in a 65nm CMOS technology to verify the feasibility of the proposed ADC architecture. The transistor-level simulation results show that 75.7dB SNDR is achieved in 5MHz bandwidth at 60MS/s. The power consumption is 748.9µW under 1.0V supply, which results in a FoM of 14.9fJ/conversion-step.

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