钙钛矿（结构）
开路电压
图层（电子）
材料科学
电压
能量（信号处理）
工程物理
光电子学
纳米技术
电气工程
化学
物理
结晶学
工程类
量子力学
作者
Yingke Ren,Hongyang Fu,Yun Li,Zhaoqian Li,Cong Li,Xing‐Tao An
摘要
Realizing efficient FAPbI 3 -based devices with high open-circuit voltage ( V OC ) is still challenging, due to severe energy loss between the n-type perovskite and p-type hole-transporting layer (HTL).
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