Magnetic-ferroelectric synergic control of multilevel conducting states in van der Waals multiferroic tunnel junctions towards in-memory computing

多铁性 铁电性 范德瓦尔斯力 材料科学 凝聚态物理 纳米技术 物理 量子力学 光电子学 分子 电介质
作者
Zhou Cui,Baisheng Sa,Kan‐Hao Xue,Yinggan Zhang,Rui Xiong,Cuilian Wen,Xiangshui Miao,Zhimei Sun
出处
期刊:Nanoscale [Royal Society of Chemistry]
卷期号:16 (3): 1331-1344 被引量:18
标识
DOI:10.1039/d3nr04712a
摘要

Multilevel nonvolatile storage and in-memory computing can be achieved simultaneously in one unit of the TiTe 2 /Mn 2 Se 3 /bilayer-In 2 S 3 /Mn 2 Se 3 /TiTe 2 multiferroic tunnel junction.
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