多铁性
铁电性
范德瓦尔斯力
材料科学
凝聚态物理
纳米技术
物理
量子力学
光电子学
分子
电介质
作者
Zhou Cui,Baisheng Sa,Kan‐Hao Xue,Yinggan Zhang,Rui Xiong,Cuilian Wen,Xiangshui Miao,Zhimei Sun
出处
期刊:Nanoscale
[The Royal Society of Chemistry]
日期:2023-12-05
卷期号:16 (3): 1331-1344
被引量:18
摘要
Multilevel nonvolatile storage and in-memory computing can be achieved simultaneously in one unit of the TiTe 2 /Mn 2 Se 3 /bilayer-In 2 S 3 /Mn 2 Se 3 /TiTe 2 multiferroic tunnel junction.
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