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The vertical growth of MoS2 layers at the initial stage of CVD from first-principles

成核 化学气相沉积 化学物理 材料科学 过渡金属 结晶学 纳米技术 密度泛函理论 基质(水族馆) 化学 单层 晶体生长 增长率 化学工程 图层(电子) 催化作用 生物化学 有机化学
作者
Xiong-Xiong Xue,Yexin Feng,Ke‐Qiu Chen,Lixin Zhang
出处
期刊:Journal of Chemical Physics [American Institute of Physics]
卷期号:148 (13) 被引量:18
标识
DOI:10.1063/1.5010996
摘要

Chemical vapor deposition (CVD) is the highly preferred method for mass production of transition metal dichalcogenide (TMD) layers, yet the atomic-scale knowledge is still lacking about the nucleation and growth. In this study, by using first-principles calculations, we show that, on Au(111) surface, one-dimensional (1D) MoxSy chains are first formed by coalescing of smaller feeding species and are energetically favored at the early stage of nucleation. Two-dimensional (2D) layers can be stabilized only after the number of Mo atoms exceeds ∼12. A vertical growth mode is revealed which accomplishes the structural transformation from the 1D chains to the 2D layers for the clusters while growing. The competition between intralayer and interlayer interactions is the key. These findings serve as new insights for better understanding the atomistic mechanism of the nucleation and growth of TMDs on the surface.

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