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作者
Svenja Mauthe,Yannick Baumgartner,Saurabh Sant,Qian Ding,Marilyne Sousa,Lukas Czornomaz,Andreas Schenk,K. E. Moselund
标识
DOI:10.1364/ofc.2020.m3d.3
摘要
We demonstrate the first local monolithic integration of high-speed III-V p-i-n photodetectors on Si by in-plane epitaxy. Ultra-low capacitance permits data reception at 32Gbps. The approach allows close integration to electronics enabling future receiverless communication.
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