The intrinsic quantum anomalous Hall effect in TaPdXTe (X = S, Se) monolayers

材料科学 单层 凝聚态物理 量子霍尔效应 拓扑绝缘体 量子 量子反常霍尔效应 数码产品 量子力学 纳米技术 物理 电子 电气工程 工程类
作者
Haofeng Wei,Yanzhao Wu,Junwei Tong,Deng Li,Xiang Yin,Zhijun Zhang,Xianmin Zhang
出处
期刊:Journal of Materials Chemistry C [The Royal Society of Chemistry]
卷期号:12 (37): 15215-15223
标识
DOI:10.1039/d4tc02809k
摘要

The search for high-performance intrinsic quantum anomalous Hall (QAH) insulators is crucial for the development of topological electronics.
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