Influence of the electron blocking layer on defect state density and ultraviolet luminescence performance of the p-NiO/i-Ga2O3/n-GaN heterojunction

非阻塞I/O 紫外线 异质结 发光 材料科学 图层(电子) 阻塞(统计) 光电子学 电子 化学 纳米技术 物理 生物化学 统计 数学 量子力学 催化作用
作者
Yang Zhao,Bingxin Ding,Yue Liu,Xian Zhang,Guojiao Xiang,Zhiang Yue,Enqin Zhao,Shuaikang Wei,Meibo Xin,Fujing Dong,Hui Wang
出处
期刊:Journal of Alloys and Compounds [Elsevier BV]
卷期号:1018: 179282-179282
标识
DOI:10.1016/j.jallcom.2025.179282

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