Investigation on asymmetric resistive switching (RS) characteristics in p-NiO/n-ZnO heterojunctions

非阻塞I/O 异质结 材料科学 纤锌矿晶体结构 氧化铟锡 光电子学 纳米技术 薄膜 冶金 化学 催化作用 生物化学
作者
Shahnaz Kossar,R. Amiruddin,Asif Rasool
出处
期刊:Microelectronic Engineering [Elsevier BV]
卷期号:254: 111669-111669 被引量:9
标识
DOI:10.1016/j.mee.2021.111669
摘要

In this research, we report asymmetric resistive switching (RS) characteristics using p-NiO and n-ZnO heterojunctions. A cost-effective spray pyrolysis technique is adopted for the deposition of n-ZnO and p-NiO layers. The structural analysis of ZnO and NiO layers confirms the hexagonal wurtzite and cubic structure, respectively. The morphological analysis of the p-NiO/n-ZnO heterojunction confirms the presence of a multilayered structure. The heterojunction was stacked between top silver (Ag) and bottom indium doped tin oxide (ITO) electrodes, and the RS characteristics were investigated. The RS device exhibits asymmetric current-voltage (I-V) characteristics with an ON/OFF ratio calculated as 2.7 and stable endurance characteristics of 50 cycles. It was analyzed that the formation and rupture of conductive filaments through intrinsic defects modulated by the p-NiO and n-ZnO layers contribute to the observed asymmetric resistive switching (RS) behavior in the fabricated p-NiO/n-ZnO heterojunction.
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