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XPS study of Sb-/In-doping and surface pinning effects on the Fermi level in SnO2 (101) thin films

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作者
Takahiro Nagata,Oliver Bierwagen,Mark E. White,Ming‐Fa Tsai,Yoshiyuki Yamashita,Hideki Yoshikawa,Naoki Ohashi,Keisuke Kobayashi,Toyohiro Chikyow,James S. Speck
出处
期刊:Applied Physics Letters [American Institute of Physics]
卷期号:98 (23) 被引量:40
标识
DOI:10.1063/1.3596449
摘要

To investigate the doping and surface electron accumulation layer properties of tin dioxide (SnO2), the Fermi level and surface band bending of unintentionally-, antimony (Sb)-, and indium (In)-doped SnO2 (101) films were investigated by aluminum and hard x-ray photoelectron spectroscopy, which probe surface and bulk regions, respectively. The Fermi level was above the conduction band minimum (CBM) for unintentionally-doped films and for highly Sb-doped films, which showed the conduction band feature, and deep in the band gap for In-doped films. The band bending and surface Fermi level indicated a surface Fermi level pinning in the CBM.
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