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P‐5: The Effect of Light‐shield Metal Layer on the IV Performance of the P‐type LTPS TFT

图层(电子) 薄膜晶体管 护盾 有机发光二极管 光电子学 基质(水族馆) 电压 亮度 光学 材料科学 电气工程 复合材料 物理 工程类 地质学 海洋学 岩石学
作者
Meng Zhao,Hao Zhang,Yanliu Sun,Lei Wang,Liu Zheng,Libin Liu,Shanchen Kao
出处
期刊:Sid's Digest Of Technical Papers [Wiley]
卷期号:49 (1): 1209-1211 被引量:1
标识
DOI:10.1002/sdtp.12101
摘要

To integrate the function of finger‐print recognition within the OLED display panel, a light‐shield (LS) metal layer is incorporated underneath the buffer layer to form fingerprint image on the sensor based on the principle of puncture‐forming picture. Since the LS metal layer is underneath the LTPS TFT, it has some impact on the IV performance of the p‐type LTPS TFT. It has been shown that the floating LS layer causes the kink effect on the output characteristics curves of the p‐type TFT. Upon putting bias on the LS layer, the threshold voltage (V th ) shifting has been observed as well as the eliminating of the kink effect caused by the floating LS layer. The V th shifting effect may be explained by the substrate bias effect. The biased LS layer may increase the uniformity of the threshold voltage throughout the whole panel, gives better image quality.
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