Effects of residual oxygen on superconducting niobium films

超导电性 氧气 材料科学 杂质 晶体生长 纳米技术 凝聚态物理 化学 冶金 结晶学 物理 有机化学
作者
Miguel Manzo-Perez,Moeid Jamalzadeh,Zhujun Huang,Xiao Tong,Kim Kisslinger,Dmytro Nykypanchuk,Davood Shahrjerdi
出处
期刊:Applied Physics Letters [American Institute of Physics]
卷期号:125 (11)
标识
DOI:10.1063/5.0225589
摘要

The integration of niobium (Nb) into emerging superconducting circuits can enhance their performance and function. However, growth of high purity Nb can be challenging due to its high reactivity with oxygen. Here, we examine the role of residual oxygen inside the growth chamber in transforming the structural, chemical, and superconducting properties of Nb films. We demonstrate that an increase in unintentional oxygen impurities lowers the superconducting critical temperature of Nb. This evolution coincides with the reduction of Nb crystal domains, which are separated by highly disordered oxygen-rich regions. Moreover, chemical analysis reveals the formation of niobium monoxide within the film during growth. These findings provide a comprehensive picture of how residual oxygen in the growth chamber can affect the properties of the Nb films. This study contributes to the materials science and engineering knowledge of superconducting Nb growth.
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