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作者
Chi Zhang,Enlong Li,Caifang Gao,Ruixue Wang,Xinling Liu,Yu Liu,Yuan Feng,Wu Shi,Yen‐Fu Lin,Junhao Chu,Wenwu Li
出处
期刊:Nano Letters
[American Chemical Society]
日期:2025-01-06
标识
DOI:10.1021/acs.nanolett.4c04467
摘要
Achieving high mobility while minimizing off-current and static power consumption is critical for applications of two-dimensional field-effect transistors. Herein, a selenium (Se) sacrificial layer is introduced between the rhenium sulfide (ReS
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