Defects Passivation Engineering of Chalcogenide Quantum Dots via In-Situ Fluorination Treatment

硫系化合物钝化材料科学原位量子点纳米技术化学工程光电子学化学工程类有机化学图层（电子）

作者

Zhe Sun,Jiahua Kong,Qinggang Hou,Yixiao Huang,Keke Wang,Shengyun Huang,Jiuxing Wang,Jianguo Tang,Zhonglin Du

出处

期刊：Nanoscale [Royal Society of Chemistry]
日期：2025-01-01

链接

nih.govdoi.org

标识

DOI：10.1039/d4nr04410j

摘要

Efficient carrier transport through reducing the traps in chalcogenide quantum dots (QDs) is crucial for their application in optoelectronic devices.

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