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作者
Manuel Kohli,Daniel Chelladurai,Laurenz Kulmer,Killian Keller,Yannik Horst,Tobias Blatter,Joel Winiger,David Moor,Tatiana Buriakova,M.N. Zervas,Clarissa Convertino,Felix Eltes,Yuriy Fedoryshyn,Ueli Koch,J. Leuthold
标识
DOI：10.1364/ofc.2024.m3k.5
摘要
We demonstrate a 110-GHz BTO Mach-Zehnder modulator integrated on foundry- produced silicon nitride for 340 Gbit/s data links. This approach, featuring nano-scale plasmonics and highly nonlinear BTO, proves to be a viable platform for next-generation Tbit/s links.
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