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Obstructed atomic insulators with robust corner modes

拓扑绝缘体 齐次空间 声子 物理 拓扑(电路) 稳健性(进化) 不变(物理) 边界(拓扑) 几何学 理论物理学 量子力学 数学 化学 数学分析 生物化学 组合数学 基因
作者
Da‐Shuai Ma,Kejun Yu,Xiao-Ping Li,Xiaoyuan Zhou,Rui Wang
出处
期刊:Physical review 卷期号:108 (10) 被引量:13
标识
DOI:10.1103/physrevb.108.l100101
摘要

Higher-order topological insulators (HOTIs), that are classified as obstructed atomic insulators (OAIs) in the topological quantum chemistry (TQC) theory, attract great interest owning to the lower-dimensional topological boundary states. However, the boundary states in HOTIs reported so far are often fragile, manifested as strongly depending on crystalline symmetries and cleavage terminations in the disk or cylinder geometry. Here, using the TQC theory, we propose an intuitive strategy to establish the connection between the obstructed Wannier charge centers of OAIs and the emergence of robust corner states in two-dimensional systems. Based on first-principles calculations and real space invariant theory, we extend the concept of OAIs to phonon systems and thereby predict that the robust corner states can be realized in the phonon spectra of $M{X}_{3}$ ($M$ = Bi, Sb, As, Sc, Y; $X$ = I, Br, Cl) monolayers. The phonon corner modes in different shapes of nanodisks are investigated, and their robustness facilitates the detection in experiments and further applications. This work suggests a promising avenue to explore more attractive features of higher-order band topology beyond the existing paradigm.
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