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Room-temperature van der Waals magnetoresistive memories with data writing by orbital current in the Weyl semimetal TaIrTe4

Weyl半金属范德瓦尔斯力凝聚态物理半金属物理量子力学带隙分子

作者

Dong Li,Xingyu Liu,Zhen-Cun Pan,An-Qi Wang,Jiantian Zhang,Peng Yu,Zhi‐Min Liao

出处

期刊：Physical review 日期：2024-07-22 卷期号：110 (3)

标识

DOI：10.1103/physrevb.110.035423

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