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作者
Jingchang Zhang,Yaru Han,Bing Xiong,Yi Luo,Changzheng Sun,Lai Wang,Jian Wang,Yujie Han,Zhibiao Hao,Hongtao Li,Jiadong Yu
出处
期刊：Conference on Lasers and Electro-Optics
日期：2020-01-01
被引量：2
标识
DOI：10.1364/cleo_at.2020.jth2d.18
摘要
A shallow-mesa InP avalanche photodiode is proposed and fabricated by a simple dry etching process. The device exhibits a remarkably low dark current of 4 pA at unit gain and a high gain of 320.
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